内存紧缺将延至 2026 年后
5 月 26 日消息，美光科技发布预警，受 AI 产业带动，HBM、DRAM、NAND 等存储芯片需求大幅攀升，
全球内存供应紧张的现状将延续至 2026 年以后。
全球内存供应紧张的现状将延续至 2026 年以后。
据摩根大通研报，美光管理层在第 54 届全球科技、媒体与通信年度大会上表示，目前 HBM、DRAM、NAND 产能不足，
无法匹配 AI 模型迭代带来的需求增长。
无法匹配 AI 模型迭代带来的需求增长。
供需缺口扩大，主要源于三大因素：存储芯片性能迭代速度放缓、HBM 裸片尺寸变大，以及 DRAM 制程引入 EUV 光刻后工艺复杂度显著提升。
美光正加速将 EUV 技术融入 1γ 工艺，该节点也将成为其产能规模最大的 DRAM 制程。
美光正加速将 EUV 技术融入 1γ 工艺，该节点也将成为其产能规模最大的 DRAM 制程。
产品布局方面，美光 HBM4 产能增速为 HBM3 的两倍；新一代 HBM4E 预计 2027 年量产，样品将搭载 1γ 工艺 DRAM 颗粒。
此外，美光深耕 SSD 定制化市场，针对 AI 大模型上下文扩展、推理负载提升等场景优化产品，以定制方案替代传统通用存储，进一步拓展市场份额。
