SK 海力士推出 iHBM 散热技术
5 月 26 日消息，SK 海力士正式推出iHBM控温散热存储新技术。
该技术核心为自研 ICE 冷却元件，采用绝缘高导热硅基材料打造。传统 HBM 依靠芯片向外间接导热，
而 iHBM 将 ICE 元件直接嵌入发热集中的 D2D PHY 区域，搭建专属散热通道。对比传统方案，其热阻降幅超 30%，
大幅提升高负载、高温工况下的运行稳定性。
而 iHBM 将 ICE 元件直接嵌入发热集中的 D2D PHY 区域，搭建专属散热通道。对比传统方案，其热阻降幅超 30%，
大幅提升高负载、高温工况下的运行稳定性。
量产与落地层面，iHBM 沿用成熟的 MR-MUF 晶圆级封装工艺，可稳定规模化生产；
同时技术兼容性出色，客户无需大幅调整现有封装设计，落地门槛较低。
同时技术兼容性出色，客户无需大幅调整现有封装设计，落地门槛较低。
据悉，SK 海力士计划将 iHBM 应用于 HBM5 等下一代产品，适配高性能计算、AI 数据中心等高带宽、高集成度场景的散热需求。
