三星造出 900 层闪存原型
5 月 25 日消息，据外媒报道，三星借助单元多层键合（CMB）技术，将两片 450 层 3D NAND 晶圆结合，
成功打造出全球首款 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型，且存储单元性能已完成验证。
成功打造出全球首款 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型，且存储单元性能已完成验证。
这项技术通过两片 450 层晶圆垂直整合，打破了传统单次堆叠的层数上限。为保障产品良率，三星自研上部卡盘技术，
攻克高堆叠晶圆翘曲问题，并搭配全新套刻校正技术，将键合对准误差控制在纳米级别。此外，产品还优化了位线与字线架构，
在提升存储密度的同时，实现功耗与体积同步优化。
攻克高堆叠晶圆翘曲问题，并搭配全新套刻校正技术，将键合对准误差控制在纳米级别。此外，产品还优化了位线与字线架构，
在提升存储密度的同时，实现功耗与体积同步优化。
3D NAND 堆叠层数是决定存储密度的关键指标，广泛应用于 AI 服务器、数据中心 SSD 及旗舰手机等领域。
目前行业量产主力为 SK 海力士 321 层 4D NAND；三星计划今年量产 400 层以上第十代 V-NAND，
而本次 900 层原型的落地，进一步拉开了其在高端闪存领域的技术优势。
目前行业量产主力为 SK 海力士 321 层 4D NAND；三星计划今年量产 400 层以上第十代 V-NAND，
而本次 900 层原型的落地，进一步拉开了其在高端闪存领域的技术优势。
