12月22日消息，韩国存储芯片双巨头三星电子与SK海力士正加快内存产能布局，以承接持续激增的AI相关需求。 报道显示，三星电子近期不仅提升了韩国本土DRAM和NAND闪存的产线利用率，还重点扩大高带宽内存（HBM）等高端产品的产出。该公司在11月

已决定重启平泽五厂施工，计划2028年启动量产，进一步强化先进存储芯片的供应能力。 SK海力士方面，其清州M15X新厂正紧锣密鼓推进投产筹备，该厂将聚焦DRAM及其他AI导向存储产品的生产。业界高层透露，SK海力士正力争提前于

原定的2027年，完成龙仁半导体园区首座晶圆厂建设，该设施规模相当于六座M15X晶圆厂。 随着AI需求预计未来几年持续爆发，产能已成为存储企业竞争力的关键。据Omdia数据，全球DRAM市场规模预计2026年前将达1700亿美元，较2024年的

1000亿美元大幅增长。