7 月 6 日消息，有报道称，三星电子与 SK 海力士推进下一代 HBM 混合键合技术落地遇阻，该技术全面商用时间或将大幅延后，

两家厂商正重新评估导入节奏，就连 HBM5 都大概率不会搭载混合键合方案。

混合键合可去除芯片凸点，通过铜线直接互连 DRAM 晶粒，能够缩减 HBM 整体厚度、优化散热表现。但行业标准出现变动，

JEDEC 拟放宽 HBM5 厚度上限，由现行 HBM4 的 775 微米最高放宽至 1000 微米；此前 HBM3E 标准厚度仅 720 微米。

厚度限制松绑后，混合键合依托无凸点实现薄型化的核心优势大幅弱化，行业导入必要性下降。

同时两家厂商均拿出低成本散热替代方案，进一步削弱混合键合短期刚需：三星自研 HPB 热通道模块，依靠封装内置独立导热柱导出堆叠热量；

SK 海力士推出 iHBM 架构，在晶粒互连层嵌入绝缘导热硅冷却组件，可降低超 30% 热阻，两套方案均规划于 HBM5 批量落地。

市场需求端同样延缓了技术落地节奏：当前产业链上下游对 16 层堆叠 HBM 需求冷淡，HBM4E 阶段 12 层产品仍将作为主流，

高层数堆叠暂无迫切落地诉求，混合键合规模化应用缺少需求驱动。

不过相关研发并未中断，当前 HBM4 接口数量已翻倍至 2048 个 I/O。展望远期，若 HBM5E 将 I/O 规格再度翻倍至 4096 通道，

传统 TC 热压合工艺会出现凸点横向扩散难题，无法满足高密度互连要求，届时混合键合将成为刚需。

业内分析总结，混合键合短期难以大规模量产，但随着未来 HBM 接口密度持续提升，中长期仍是行业必经技术路线。