8 月 1 日消息，产业链多方信源透露，长鑫存储首款 LPDDR6 内存芯片研发验证工作已步入收尾阶段，

距离全球首发量产更进一步，有望在高端移动端内存赛道抢占技术先机。

LPDDR 内存落地量产需要历经颗粒单体测试、研发验证、小批量试产验证、正式量产四大环节，一款手机内存芯片想要装配至终端设备，

必须经过层层严苛测试。目前长鑫已完成前期关键验证环节，在研发阶段完成软硬件兼容适配、整机稳定性、性能功耗配比、

结构耐用性等全方位极限测试，提前规避量产上机后的适配故障，保障终端设备长久稳定使用。

早在今年 3 月，长鑫就已向核心客户交付 LPDDR6 样品，计划 2026 年下半年实现全球首发量产。这款 LPDDR6 标称速率可达 12800Mbps，

搭配处理器运行基准速率 10667Mbps，单颗粒 16Gb、单颗芯片容量 16GB，采用 1295 Ball POP 封装工艺。

对比前代 LPDDR5X，新品在功耗控制、RAS 可靠性体系上均实现显著升级。

长鑫 LPDDR6 研发落地，标志国内存储行业迎来里程碑式突破，彻底摆脱高端移动存储技术跟跑的局面，跻身前沿规格领跑阵营，

打破海外厂商垄断移动内存更新迭代节奏的现状。

凭借本土供应链快速定制、近距离技术支持的优势，长鑫 LPDDR6 或将重构全球高端移动内存供应格局，

为国产旗舰手机、端侧 AI 设备提供自研可控的高速内存芯片，补齐移动端半导体国产化产业链关键一环。