9 月 21 日消息，当前内存价格大幅走高，较涨价前上涨约 10 倍，1Gb 内存颗粒售价接近 10 元，按单位面积核算，成本甚至超过台积电 2nm 工艺。

网友 Kurnal 将不同节点内存芯片的密度、单价，与台积电逻辑工艺进行对比。存储工艺与逻辑工艺本就体系不同，此次以单位面积价格作为统一标尺。

数据显示：1y 内存节点单位面积价格 0.329 美元，台积电 N3 为 0.283 美元；1z 节点升至 0.41 美元，台积电 N2 为 0.424 美元；

而 1b 内存节点达到 0.654 美元，比 N2 高出 50%。该对比未计入良率等变量，但足以体现内存涨价幅度十分惊人。

毛利率层面，台积电代工毛利率约 65%，后续有望冲击 70%。三星、SK 海力士、美光内存业务毛利率现已突破 80%，

预计三季度可达 90%，明年或超 95%，创下历史新高。即便台积电表示不会效仿三星大幅涨价，也难免艳羡存储厂商超高利润。