内存疯涨，巨头控产逐利
5 月 13 日消息，持续近一年的内存涨价潮仍在持续，行情十分疯狂。DDR5 2×16GB 内存价格从去年的 100 美元，
飙升至如今 500 美元以上，部分型号涨幅高达 5 至 10 倍。
飙升至如今 500 美元以上，部分型号涨幅高达 5 至 10 倍。
全球 90%–95% 的内存市场被三星、SK 海力士、美光三大巨头垄断，暴涨的价格直接推高企业利润。其中三星一季度净利润暴涨近 8 倍，
另外两家净利润增幅也超 5 倍，三家企业今年净利润合计有望突破万亿元。
另外两家净利润增幅也超 5 倍，三家企业今年净利润合计有望突破万亿元。
业内预测，内存缺货涨价周期将延续至 2027–2028 年，甚至到 2030 年。五年的涨价周期，或将让三大厂商赚回过去五十年的利润，盈利空间空前夸张。
按常理，市场需求火爆、价格大涨，厂商本应大举扩产常规内存。但三大巨头却选择精准控产，增产重心全面转向溢价更高的 AI 用 HBM 内存，
对通用消费级内存扩产意愿极低。
对通用消费级内存扩产意愿极低。
三星计划在韩国龙仁国家产业园豪掷 2600 亿美元，新建 6 座晶圆厂，今年下半年动工、2031 年投产，主攻 HBM 及 1b/1cnm 先进制程内存；
SK 海力士、美光同样加码 HBM 产能，新项目投产时间均集中在 2028 至 2030 年。
SK 海力士、美光同样加码 HBM 产能，新项目投产时间均集中在 2028 至 2030 年。
反观普通内存产能，增长近乎象征性：三星 2026 年内存晶圆产量仅同比提升 5%，SK 海力士增幅约 8%，美光产能基本持平。
在价格暴涨 5 倍、市场需求旺盛的背景下，三大厂商刻意严控通用 DDR、LPDDR、GDDR 等内存产能，将产能倾斜至高利润 HBM，进一步加剧消费级内存供需失衡。
在价格暴涨 5 倍、市场需求旺盛的背景下，三大厂商刻意严控通用 DDR、LPDDR、GDDR 等内存产能，将产能倾斜至高利润 HBM，进一步加剧消费级内存供需失衡。
