5 月 13 日消息，美光科技近日正式向核心合作伙伴交付 256GB DDR5 RDIMM 寄存式内存样品，最高速率可达 9200 MT/s，

相较当前量产 DDR5 产品性能提升超 40%。

这款内存采用美光第六代 10nm 级1‑gamma DRAM 工艺，也是其首款使用 EUV 光刻量产的 DRAM 制程。

新工艺让晶圆输出密度较上代提升 30% 以上，单颗 16Gb DDR5 芯片速度提升 15%，功耗降低超 20%。

产品搭载 3D 堆叠与硅通孔互联技术，通过 DRAM 颗粒立体堆叠，实现大容量与高速传输兼顾。

能效表现尤为亮眼：单条 256GB 内存运行功耗仅 11.1W，对比两条 128GB 方案合计 19.4W 的功耗，降幅超 40%。

产品主要面向大模型、AI 智能代理、实时推理等数据中心场景，在功耗散热约束下最大化单 CPU 插槽内存容量。

目前美光正联合生态伙伴，在新旧服务器平台开展兼容性验证，推进规模化落地，暂未公布量产与上市时间。

行业标准同步迭代，JEDEC 正推进 DDR5 MRDIMM 规范，目标速率最高 12800MT/s，适配 AI 算力爆发需求。

价格方面，美光暂未披露新品定价，当前市面在售 256GB DDR5 服务器内存单价已达 5‑6 万元。