4 月 9 日消息，据报道，国内存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）已实现 12 层堆叠 HBM 高带宽内存的大规模量产。

凭借 12 层 HBM 的正式落地，长鑫存储成功切入高端 AI 硬件供应链，国产存储厂商与韩国头部企业长期存在的技术差距显著收窄。

从正式布局 HBM 领域到实现 12 层量产，长鑫仅用时三年，其对 DRAM 精准键合、垂直堆叠等核心制程的掌握，也标志着本土半导体生态已迈入先进水平。

业内人士指出，当前长鑫存储与三星、SK 海力士的 HBM 制造技术差距已缩短至三年以内。在产能规划上，公司将约 20% 的 DRAM 产能转向 HBM，

转型完成后月产能可达 6 万片，目前良率虽略低于韩厂，但核心目标是优先满足国内 AI 市场需求，并为进军全球市场做好布局。

为进一步扩大产能、保持发展势头，长鑫存储拟通过 IPO 募资 42 亿美元，用于新建 HBM 产线与升级现有 DRAM 制造基地。

公司正与海内外设备厂商合作推进基建，预计 2026 年完成核心产线建设，同时持续优化键合工艺与热管理方案。

随着国产 12 层 HBM 实现量产，三星、SK 海力士等传统巨头正面临持续加剧的市场竞争，不得不加快迭代更先进的制造技术以稳固领先地位。

业内普遍认为，16 层堆叠与混合键合技术，将成为下一阶段全球存储产业竞争的核心焦点。