三星首发 HBM4E 样品
5 月 29 日消息，三星电子于韩国当地时间今日官宣，已向全球主流客户送出业界首批12 层堆叠 HBM4E样品。
这款全新高带宽内存引脚速率可达 14Gbps，最高可拓展至 16Gbps，相较前代 HBM4 性能提升 20%；单堆栈带宽达到 3.6 TB/s，
能够充分释放大语言模型及新一代 AI 系统的算力潜力。
能够充分释放大语言模型及新一代 AI 系统的算力潜力。
HBM4E 延续 HBM4 方案，采用 1**** DRAM 晶粒搭配 4nm 逻辑晶粒打造。同时依托低功耗架构与封装优化，实现能效提升 16%、热阻降低 14%。
本次送样的 12 层版本单堆栈容量为 48GB，三星后续还将推出 8 层 32GB、16 层 64GB 等规格，满足不同客户需求。
在样品验证与调试完成后，三星将配合客户节奏启动 HBM4E 量产工作。
在样品验证与调试完成后，三星将配合客户节奏启动 HBM4E 量产工作。
