4月9日消息，据媒体报道，SK海力士正加速提升10纳米第六代（1c）DRAM工艺竞争力，

为此对该工艺所需的极紫外（EUV）设备投资额较原计划增加近三倍。 业内人士透露，SK海力士正全力推进1c DRAM研发，计划将其用于第七代高带宽内存HBM4E核心芯片，并于今年内送出样品。
面对英伟达明年下半年将推出搭载HBM4E的新一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，公司正加快技术落地节奏。 SK海力士将在清州M15X、利川M16及龙仁半导体集群首座工厂等产线部署EUV光刻机，推进1c工艺转换。
目前其通用DRAM的1c工艺良率已达80%，公司计划年内将过半DRAM产能转向1c工艺，年底前实现约19万片的产能规模。