内存牛市或 2028 年转折
3 月 16 日消息，当前内存芯片已迎来史上最强超级牛市，价格持续飙升、产能极度紧缺，对智能手机、PC 等行业造成显著冲击。
据业内消息，三星电子半导体内部已发出预警：本轮由存储芯片供应紧张带来的高景气周期，大概率仅维持 1—2 年，2028 年前后市场
可能再度进入下行阶段。为此，三星计划抓住 AI 带来的高利润窗口，同时严控投资节奏、提升运营效率，避免重蹈过度扩张的覆辙。
SK 海力士此前也表态，将在产能扩张上保持谨慎。
可能再度进入下行阶段。为此，三星计划抓住 AI 带来的高利润窗口，同时严控投资节奏、提升运营效率，避免重蹈过度扩张的覆辙。
SK 海力士此前也表态，将在产能扩张上保持谨慎。
本轮内存短缺并非短期波动，而是生成式 AI 技术革命驱动的长期结构性缺口，矛盾集中在高端产品与产能分配上。单台 AI 服务器对
DRAM、NAND 的需求是普通服务器的 8—10 倍，作为核心组件的 HBM（高带宽内存）供需缺口高达 50%—60%。
DRAM、NAND 的需求是普通服务器的 8—10 倍，作为核心组件的 HBM（高带宽内存）供需缺口高达 50%—60%。
预计 2026 年 HBM 市场规模增长近 60%，将占到 DRAM 市场近四成份额。三星、SK 海力士的 DRAM 营收中，HBM 占比均已过半。
全球三大存储原厂将 70% 以上新增及可调产能优先投向 HBM 与先进 DRAM，直接导致低容量 NAND 等消费级存储供应紧张。
全球三大存储原厂将 70% 以上新增及可调产能优先投向 HBM 与先进 DRAM，直接导致低容量 NAND 等消费级存储供应紧张。
价格方面，主流 DDR4 8Gb 颗粒从 2025 年低点 3.2 美元暴涨至 15 美元，涨幅高达 369%。
存储芯片大幅涨价推高终端成本，手机、电脑厂商被迫提价或调整配置。受成本压力影响，全球智能手机出货量预计同比下滑 12.9%。
