纳米压印新技，1.4nm 替 EUV

时间：2025/12/19

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12 月 18 日消息，虽在 EUV 光刻机领域错失先机，但作为全球第二大光刻机供应国，日本正全力攻关 EUV 替代方案，聚焦 NIL 纳米压印技术路线。

继佳能、尼康等企业此前展示相关技术后，日本 DNP（大日本印刷株式会社）近日宣布，成功开发出 10nm 级 NIL 纳米压印技术。该技术可将电路图

直接印在基板上，能满足 1.4nm 工艺逻辑芯片的曝光需求。

技术层面，DNP 的 10nm NIL 技术融合 SADP 自对准双重图案技术，通过一次曝光加两次图案处理，可实现双倍精度芯片制造，且能耗优势突出 —— 仅为

当前主流工艺的约 1/10。

DNP 在 NIL 技术领域已深耕超 20 年，当前技术已具备部分替代 EUV 光刻的能力，为芯片制造商提供了高精度工艺的新选择。目前公司正与硬件供应商合作

推进技术评估，预计完成客户验证并搭建量产供应体系后，于 2027 年启动量产出货。

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