12月18日消息，原本无美国建厂计划的台积电，在美方压力下持续加码投资，最新承诺达1650亿美元，而美方近期暗示需进一步提升至2000亿美元以上。 除巨额投资外，台积电还需向美国工厂转移先进工艺。一期工厂最初计划生产5nm芯片，2023年底落成后已升级为4nm产能；在建的二期工厂预计

将投产3nm工艺，后续投资计划中，2nm至1.4nm工艺也将逐步落地美国。 台积电大规模向美国转移产能，技术泄密风险引发外界广泛关注。对此，台积电曾多次表态，强调最先进工艺仍将留在总部基地生产。 如今主管部门进一步明确管控规则：关键技术将实施严格管制，相关参与人员也纳入管控范围。未来台积电工艺出海需满足“N-2”要求，即海外基地

生产的工艺需落后本土两代。举例来说，若台积电当前本土量产最先进的是2nm（N2）工艺，海外工厂仅能生产5nm级别产品，中间间隔3nm工艺；

待1.4nm（A14）工艺实现量产后，美国工厂才会启动2nm工艺生产，中间间隔1.6nm（A16）工艺。