12 月 3 日消息，据媒体报道，三星正考虑调整 DRAM 制造策略，计划削减 30% 至 40% 原用于 HBM3E 内存的 1a nm 制程通用 DRAM 产能。

后续三星将通过制程转换，扩大适用于 DDR5、LPDDR5x 等标准内存产品的 1b nm 制程产能，以最大化整体获利。

当前 AI 需求爆发，HBM 抢占核心产能且短期扩产有限，DDR5、LPDDR5x 及 GDDR7 等通用内存价格快速飙升。对三星而言，1b nm 制程的获利

能力已超越此前因 HBM 高价被看好的 1a nm 制程。

尽管三星成功成为 NVIDIA 的 HBM3E 供应商，但供货规模受限，且其 HBM3E 平均售价较竞争对手 SK 海力士低三成。市场人士分析，

若三星将 1a nm 制程 30% 至 40% 产能及 1z nm 等成熟制程产能切换至 1b nm，该制程月投片量有望额外扩充 8 万片晶圆，将显著提升整体盈利。