全球存储芯片市场正迎来堪称 “7 年一遇” 的超级周期，价格已率先启动强劲涨势 —— 部分产品单次涨幅动辄达到 30%，甚至突破 50%，行业热度肉眼可见。

在这一轮涨价浪潮中，三星电子无疑是最核心的受益者：作为全球唯一同时占据内存（DRAM）与闪存（NAND）芯片市场龙头地位的企业，其业绩表现正成为行业风向标。

即将于 14 日披露的 2024 年 Q3 季度财报，已提前释放积极信号。据业界共识预测，三星当季营收将达 83.69 万亿韩元，运营利润更将攀升至 9.8 万亿韩元；

而多家证券公司的测算则更为乐观，认为其当季运营利润将突破 10 万亿韩元（约合 500 亿元人民币）。这一数字意义重大 —— 自去年 Q2 季度三星录得 10.44 万亿韩元运营利润后，

时隔 15 个月，其盈利能力将再度回归 10 万亿韩元级别的关键关口。

对比来看，三星今年 Q2 季度的运营利润仅为 4.7 万亿韩元，不足当前预测值的一半。

当时业绩承压的核心原因，一方面是内存芯片价格仍处于下滑通道，另一方面则是晶圆代工业务陷入亏损。而推动本次利润大幅反弹的 “功臣”，

依然是三星的核心业务 —— 半导体，其中内存芯片的贡献尤为突出。事实上，早在今年上半年，DDR4 内存就已率先逆势涨价；

进入 9 月，三星更是正式发布调价通知，直接为其利润增长注入了强劲动力。

更值得关注的是，当前的内存涨价并非短期脉冲，而是超级周期下的趋势性起点。此前行业普遍预期，至少到 2026 年上半年，

内存芯片市场都将维持 “缺货 + 涨价” 的格局；即便 2026 年下半年价格停止大幅上涨，也将稳定在高位区间。这意味着，在未来一年多的业绩周期内，

三星运营利润持续超过 10 万亿韩元，将成为大概率事件。

此外，三星在高端内存领域的布局也将进一步增厚利润。随着 HBM3e（高带宽内存 3 增强版）及后续 HBM4 产品逐步进入供货周期，

这一面向 AI 服务器等高端市场的高附加值产品，将与常规的 DDR、LPDDR 内存形成协同，共同成为三星利润增长的核心驱动力。