迈入 3D 堆叠时代后，行业普遍认为 NAND 闪存堆叠层数越高，存储密度越强，三星、SK 海力士纷纷冲刺 400 层以上架构。

作为闪存技术开创者（前身东芝闪存部门），铠侠携手闪迪走出差异化路线，依靠独家 BiCS 架构，

仅 332 层堆叠便拿下全球最高闪存容量密度，避开疯狂堆层的行业内卷。

三星持续加码 400 层以上闪存布局，铠侠第十代 BiCS10 闪存仅升级至 332 层，相较上代 218 层提升明显，

在堆叠层数的直观比拼上并不占优，但其核心优势在于底层架构优化。官方数据显示，这款闪存堆叠层数比竞品少 23%，

单位容量成本降低近 10%，能效提升超 10%，闪存可靠性更是大涨 35%。

在近期 FMS 存储峰会上，铠侠揭晓了关键密度参数：BiCS10 架构 QLC 闪存密度达 37Gb/mm²，TLC 版本为 29Gb/mm²，双双登顶全球。

反观竞品，三星 400 层以上 V10 代 TLC 闪存密度仅 28Gb/mm²，SK 海力士 Gen9 闪存层数 276 至 321 层，

TLC、QLC 密度仅有 20Gb/mm²、21Gb/mm²，差距显著。即便将三星 400 层架构换算为 QLC 规格，密度也仅能与铠侠持平。

凭借精巧的架构设计，铠侠用更少堆叠层数实现密度反超，不过该方案尚存短板：三星、海力士 300 至 400 层闪存现已量产出货或进入试样阶段，

而铠侠全新 BiCS10 产品尚未正式发布，量产节奏滞后。待韩系大厂新一代高密度闪存落地后，双方的密度差距将会逐步缩小。