7 月 22 日消息，SK 海力士 CEO 郭鲁正近日预警，2027 年或将成为存储行业史上供应压力最大的一年，

当前内存涨价引发的市场波动尚未见顶。

据 Business Times 数据，2027 至 2028 年存储晶圆产能年均增速约 12%，近半数新增产能将被 HBM 占用。出货规划显示，

三星 2026 年 HBM 出货量 120 亿 Gb，2027 年提升至 200 亿 Gb；SK 海力士 2026 年为 180 亿 Gb，2027 年目标 240 亿 Gb。

HBM 持续抢占晶圆资源，大幅挤压通用 DRAM 产能空间。

受此影响，2027-2028 年非 HBM DRAM 位元年增速仅 15%，而同期需求增速达 22%，形成 7 个百分点的供给缺口。

新增产能投放节奏同样偏慢：三星 P5 Fab 1 预计 2027 年 7 月投产，P5 Fab 2 与龙仁新厂要等到 2029 年量产；

SK 海力士龙仁 Y1 工厂 2027 年 2 月投产，Y2 工厂 2028 年下半年方能上线，短期难以缓解供给紧张。

长鑫存储 DDR6 转型有望缓和供需，但量产时间、海外供货规划仍存不确定性。

威刚董事长陈立白近期也驳斥 AI 泡沫论调，称未来十年电力与内存最为紧缺，三大原厂维持理性扩产策略，内存价格下半年延续上涨行情。