HBM4 良率大战全面打响
7 月 22 日消息，第六代 HBM4 已在 AI 加速芯片实现商用落地，三星、SK 海力士、美光三方围绕 HBM4 良率的竞争全面打响。
良率直接影响交付规模与盈利水平，落后者或将面临出局压力。
良率直接影响交付规模与盈利水平，落后者或将面临出局压力。
三星率先实现 HBM4 规模量产，业内预估良率逼近 70%。依托 1C 制程 DRAM 良率稳定维持 80% 以上的优势，三星在良率管控上暂时领跑。
SK 海力士并未披露确切良率数值，但市场判断其良率步入稳定阶段。为守住过半的 HBM 市场份额，
SK 海力士正洽谈新增设备，优化工艺、扩充产能。
SK 海力士正洽谈新增设备，优化工艺、扩充产能。
美光产能根基偏弱，当前全力推进良率爬坡，同步加大设备投入，着力提升产能供给。
三大厂商博弈重心集中于 HBM 赛道。业内表示，三星凭借量产先发优势带来的业绩增益，已经体现在二季度财报，该势头有望延续至下半年。
尽管三星抢占先机，但 SK 海力士依托 HBM3 时期积淀仍存有反超机会。
伴随 Vera Rubin 等 AI 加速芯片逐步量产导入，三大存储巨头的 HBM4 良率角逐将持续升温。
伴随 Vera Rubin 等 AI 加速芯片逐步量产导入，三大存储巨头的 HBM4 良率角逐将持续升温。
