长鑫五代内存平台量产
9 月 20 日消息,2026 世界制造业大会上,长鑫科技正式宣布第五代技术平台量产。
该平台内存阵列有源区半间距达 11.95 纳米,存储器电容深宽比 45:1,核心动能区高度降至 6762 纳米,存储密度显著提升。
同等条件下,晶圆产出相比上一代提升 50% 以上。依托此平台的 24GB LPDDR5X 产品现已量产,成功导入国内主流旗舰手机。
长鑫 LPDDR5X 产品线覆盖颗粒、芯片与模组。颗粒提供 12Gb、16Gb;芯片规格包含 12GB、16GB、24GB;
LPCAMM 模组拥有 16GB、32GB 版本。速率支持 8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps 三档,向下兼容 LPDDR5,升级选择灵活。
