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闪存拐点早于内存,国产存储加速突围

时间:2026/07/22

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7 月 21 日消息,本轮存储涨价周期中,内存价格暴涨超五倍、行情更紧绷,而NAND 闪存涨幅更温和、拐点更早

有望率先见顶回暖,明年即可迎来供需缓解。

据 TrendForce 调研,目前服务器占用超四成 NAND 闪存需求,手机、平板同样占据近四成份额,消费电子依旧深刻影响行业整体需求。

现阶段原厂库存低位可控,仅模组厂商因消费市场疲软库存小幅走高,行业整体库存风险较低。机构预判,2026 年 NAND 闪存仍存 4%-5% 供需缺口,

缺货态势延续
,直至 2027 年下半年供需转正,供应紧张局面彻底缓解。

对比来看,闪存复苏节奏远快于内存。受 AI 市场刚需拉动,HBM 持续紧缺、大量挤占 DRAM 产能,内存供需要到 2026 年底才会平衡,

2028 年才迎来产能过剩;而闪存生产门槛更低,AI 需求占比有限,手机、PC 消费端需求影响力极强,叠加小米上调全年手机出货目标至 1.1 亿部以上,

消费端需求回暖进一步利好闪存市场。

尽管行业厂商预判存储缺货或将持续十年,但 2027 年闪存市场必然迎来明显改善,率先缓解手机、电脑行业的芯片成本压力。

同时闪存国产化进程提速显著,远超内存领域。长江存储一季度全球市占率达 13%,稳居全球第四,且扩产节奏远超海外厂商,

今年底有望跻身全球前三,未来两年冲刺全球第二,将彻底重塑全球 NAND 闪存行业格局。

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