巨头扎堆入局 AI 内存
6 月 29 日消息,AI 产业供需格局已然转变:此前市场紧缺 GPU,如今存储芯片成为算力发展核心瓶颈。过去一年内存价格暴涨 5 至 10 倍,
直接推高三星、SK 海力士、美光三大存储厂商业绩暴涨。
直接推高三星、SK 海力士、美光三大存储厂商业绩暴涨。
美光最新财报显示,其存储业务毛利率逼近 85%,超高盈利水平远超行业平均,甚至高于台积电 60% 以上的代工毛利率,暴利空间引得行业巨头纷纷入局。
台积电选择跨界布局 AI 内存赛道,但并未效仿三星斥巨资自建存储晶圆厂,而是携手华邦电子联合研发 AI 专用内存。
华邦具备 DRAM 量产能力,虽产能规模不及三星与长鑫存储,可稳定供应内存颗粒;台积电则手握成熟 WOW 晶圆堆叠工艺,
可将华邦 DRAM 与自家先进制程芯片完成堆叠封装,二者结合有望产生协同增益。
即便难以抢占传统存储市场份额,集成内存的一体化 AI 芯片市场需求旺盛,台积电借此分食存储红利,盈利空间或优于单纯 AI 芯片代工业务。
不止台积电,英特尔同样紧盯 AI 内存赛道。英特尔早年剥离闪存与傲腾业务,错失存储上行周期,如今意图重新入局。
此前消息透露,英特尔联合软银子公司研发 ZAM 堆叠内存,架构区别于 HBM,采用 Z 字形交错互连布线优化堆叠结构。
相较主流 HBM,ZAM 优势突出:单颗容量最高 512GB,且功耗降低 40%-50%,精准解决当下 HBM 容量受限、功耗偏高两大痛点。
马斯克公布 TeraFab 芯片工厂规划后,英特尔有意与其合作落地 ZAM 量产。不过项目节奏至关重要,若两三年内无法实现规模化量产,
伴随三星及国内存储厂商持续扩产,行业或将再度陷入价格战。
此前消息透露,英特尔联合软银子公司研发 ZAM 堆叠内存,架构区别于 HBM,采用 Z 字形交错互连布线优化堆叠结构。
相较主流 HBM,ZAM 优势突出:单颗容量最高 512GB,且功耗降低 40%-50%,精准解决当下 HBM 容量受限、功耗偏高两大痛点。
马斯克公布 TeraFab 芯片工厂规划后,英特尔有意与其合作落地 ZAM 量产。不过项目节奏至关重要,若两三年内无法实现规模化量产,
伴随三星及国内存储厂商持续扩产,行业或将再度陷入价格战。
