韩国千亿巨资押注半导体
6 月 29 日消息,多家媒体披露,韩国总统李在明正式推出总规模达 800 万亿韩元(约 5179 亿美元)的国家级半导体发展规划,
旨在推动本土半导体产业实现跨越式升级,同时平衡国内区域经济发展差距。
旨在推动本土半导体产业实现跨越式升级,同时平衡国内区域经济发展差距。
本周一,李在明于青瓦台迎宾馆召开全民投资报告会并全程电视直播,三星电子、SK 海力士两大全球存储龙头高管列席参会,
足见该产业规划的核心战略地位。
足见该产业规划的核心战略地位。
眼下全球云厂商与科技企业持续加码 AI 基建,高带宽内存 HBM 供需缺口持续扩大。三星、SK 海力士作为 AI 产业链核心存储厂商,
现有产线集中布局首尔都市圈,眼下正全速推进产能扩建。
现有产线集中布局首尔都市圈,眼下正全速推进产能扩建。
为夯实产业优势,韩国配套出台多重扶持政策:未来 15 年将投入 30 万亿韩元攻关下一代存储核心技术,
搭建集存储制造、先进封装、半导体材料与设备于一体的完整本土产业链;同时提速晶圆厂落地节奏,
将新建工厂完工周期从原计划的 2040 年代中期提前至 2030 年代中期,最长缩短 12 年。官方测算,
五年内本土 DRAM 产能有望实现翻倍,全球内存市场规模同期或将扩容四倍。
搭建集存储制造、先进封装、半导体材料与设备于一体的完整本土产业链;同时提速晶圆厂落地节奏,
将新建工厂完工周期从原计划的 2040 年代中期提前至 2030 年代中期,最长缩短 12 年。官方测算,
五年内本土 DRAM 产能有望实现翻倍,全球内存市场规模同期或将扩容四倍。
企业端,三星电子会长李在镕坦言,现有产能已难以承接暴涨的 AI 芯片订单,企业正规划在光州落地全新产业基地。
三星同步官宣,将向龙仁、平泽两大半导体集群累计投入 2655 万亿韩元(含此前公布的 2030 万亿韩元投资方案),大规模扩充芯片产能。
三星同步官宣,将向龙仁、平泽两大半导体集群累计投入 2655 万亿韩元(含此前公布的 2030 万亿韩元投资方案),大规模扩充芯片产能。
SK 集团会长崔泰源也现场公布千亿级扩产计划,整体投资规模 1100 万亿韩元:其中 600 万亿韩元投向龙仁产业园扩容 DRAM 产能,
100 万亿韩元布局清州扩建 NAND 闪存产线;原定 2045 年竣工的龙仁半导体集群,建设周期同样提前 12 年完工。
100 万亿韩元布局清州扩建 NAND 闪存产线;原定 2045 年竣工的龙仁半导体集群,建设周期同样提前 12 年完工。
