三星推进 HBM4E 样品
4 月 16 日消息，据韩媒 ChosunBiz 报道，三星电子计划于 5 月生产首批符合客户性能要求的 HBM4E 内存样品，为 2027 至 2028 年正式供货奠定基础。
今年初，三星已在英伟达 GTC 2026 大会上公开展示 HBM4E，其单针传输速率达 16Gbps，总带宽 4.0TB/s，不过业内普遍认为当时仅为技术演示样品。
三星 HBM4E 将沿用 1αnm DRAM 芯片与 4nm 基底芯片设计，并在工艺细节上进一步优化。三星晶圆代工计划于 5 月中旬前完成性能版基底芯片生产，
随后交付存储部门开展 3D 封装工序。
随后交付存储部门开展 3D 封装工序。
