4 月 15 日消息，据三位知情人士透露，国内存储芯片龙头长江存储（YMTC）已敲定新一轮产能扩张计划。除今年即将在武汉建成的三期晶圆厂外，

公司还规划新建两座晶圆厂，项目全部建成后总产能将较当前翻倍。

目前，长江存储在武汉已建成两座晶圆厂，合计月产能 20 万片。此次规划的三座新厂单厂满产月产能均为 10 万片，其中三期厂已启动设备安装，

预计年底投产，2027 年实现月产 5 万片的阶段性目标。

三期工厂的一大里程碑，是国产设备采购占比首次突破 50%，成为长江存储首个国产设备使用率过半的生产基地。当前长江存储整体国产设备占比约 45%，

已居国内晶圆厂首位；一期、二期工厂核心设备则多依赖海外供应商。2022 年被美国列入实体清单后，

ASML 等海外设备供应受阻，也进一步加速了其国产化进程。

三期工厂采用的国产设备已覆盖 3D NAND 堆叠等关键环节，中微公司为核心本土供应商之一。目前国内晶圆厂国产设备整体渗透率仅 15%–30%，

三期项目将是国产半导体设备在大规模量产场景下的重要验证，能否稳定支撑良率仍存在不确定性。后续两座新厂的推进节奏，将直接取决于三期量产结果。

为加快设备国产化，相关部门已投入并将持续加码数百亿资金，支持本土技术追赶国际先进水平。

除主营 NAND 闪存外，长江存储在存储品类上也实现突破，已向客户送样低功耗 DRAM 产品，预计年底获得客户验证反馈。

市场数据显示，2025 年长江存储全球 NAND 份额达 11.8%，与闪迪并列第四；龙头三星以 30.4% 居首，SK 海力士、铠侠、

美光分别以 16%、15.9%、13.3% 紧随其后。Yole 预测，到 2028 年其全球份额有望提升至 15%。

技术层面，长江存储当前基于 Xtacking 4.0 架构实现约 270 层 3D NAND 量产，暂落后于 SK 海力士 321 层 4D NAND、三星 286 层第九代 V-NAND。