存储弃短单 价格或见顶
根据韩国最新报告,三星与 SK 海力士已基本全面终止面向全球大型科技企业的一年期 DRAM 短期供货合约,未来仅提供 3 至 5 年的长期供应协议。
业内对此举动存在两种解读。乐观观点认为,两家厂商意在产能有序扩张前锁定中期需求,获得稳定的需求预期。而市场更关注的解读则直指
DRAM 价格拐点:若其内部判断内存价格仍有大幅上涨空间,完全没必要在当前价位锁定长期价格。这一反常的策略转向,或在释放明确信号
—— 内存涨价空间已所剩无几,价格高点大概率已现。
此前,三星已完成两轮大幅调价:2026 年一季度 DRAM 价格同比上涨 100%,二季度在此基础上环比再上调 30%。三季度是否继续实质性涨价,
将成为验证价格见顶的关键,若三季度涨价力度显著放缓,上述判断将得到证实。
值得注意的是,DRAM 与 NAND 闪存行情出现明显分化。瑞银最新预测,NAND 价格峰值或将推迟至 2027 年三季度。
两大因素持续支撑 NAND 价格上行:一是谷歌 TurboQuant 技术仅压缩基于 DRAM 的键值缓存,对 NAND 需求几乎无影响;
二是长江存储等国内头部厂商将更多产能转向 DRAM,致使 NAND 供应相对收紧。
韩国 KB 证券分析师预测,三星 2026 年营业利润有望达到 327 万亿韩元,2027 年或将升至 488 万亿韩元,小幅超越英伟达预期营业利润,
成为全球盈利最高的企业。
能够跻身行业盈利顶端,三星的商业决策显然经过审慎考量。后续市场将重点关注其三季度内存定价策略,进一步确认内存价格是否已触顶。
