ASML 第三代 EUV 推进中
3 月 2 日消息，全球唯一实现 EUV 光刻机量产的荷兰 ASML，在先进光刻技术研发上持续领跑，目前已启动第三代 EUV 光刻机的研发工作。
当前量产的第一代 EUV 光刻机数值孔径 NA 为 0.33；面向 2nm 及以下工艺的High NA EUV（NA 0.55）作为第二代产品，分辨率显著提升，
可支撑至 1nm 以下节点，现已小批量出货，Intel 为首批客户，已订购至少三台，有望用于下一代 14A 工艺。
可支撑至 1nm 以下节点，现已小批量出货，Intel 为首批客户，已订购至少三台，有望用于下一代 14A 工艺。
ASML 已在内部推进第三代 EUV 光刻机研发，具体参数尚未披露。不久前，该公司公布一项革命性 EUV 光源技术，可将光源功率从现有 600W 提升至 1000W，
未来最高可达 2000W，或将成为第三代 EUV 的核心基础。
未来最高可达 2000W，或将成为第三代 EUV 的核心基础。
ASML 首席技术官 Marco Pieters 近日表示，公司不仅布局未来 5 年技术，更着眼 10—15 年长期路线图。
ASML 的长远目标，是革新芯片制造模式：将先进封装作为重要方向，推出专用于多芯片封装的光刻设备（分辨率约 110nm），
最终实现“像盖大楼一样制造芯片”的 3D 芯片架构，攻克此前难以解决的制造与散热等瓶颈。
最终实现“像盖大楼一样制造芯片”的 3D 芯片架构，攻克此前难以解决的制造与散热等瓶颈。
