2月10日消息，行业分析机构SemiAnalysis报告显示，SK海力士与三星将主导下一代HBM高带宽内存市场，美光因技术路线受挫，

彻底无缘英伟达Rubin芯片的HBM4订单，份额或将归零。 报告指出，美光在英伟达Rubin平台的HBM4供应资格被完全取消，SK海力士预计拿下70%订单，三星包揽剩余30%，韩系厂商将垄断这一高端市场。 美光失利的核心原因是技术路线选择失误。为控制成本、掌控供应链，美光坚持自研自产HBM4基础裸片，既未如SK海力士联手台积电，

也无三星的自有逻辑代工产能。其独立方案引发严重散热问题，引脚速度也未达标准，因拒绝采用先进外部制程，关键性能远落后于对手。 同时，时间窗口的错失成为致命因素。英伟达Vera Rubin芯片已进入全速量产阶段，供应链名单已最终锁定。 美光虽计划2026年二季度完成基础裸片重设计与供电网络优化后，重新参与英伟达认证测试，但已彻底错过最佳时机。

三星则率先达标英伟达HBM4引脚速度要求，走出HBM3延期的阴霾，预计获得20%-30%的市场份额。