2月9日消息，三星电子将于2月下旬（农历新年后）正式向英伟达批量交付HBM4高带宽存储芯片，这标志着全球HBM4率先实现大规模量产与出货。 三星已完成英伟达HBM4全项认证，交付节奏精准适配英伟达新一代AI加速器规划，核心覆盖Vera Rubin平台。英伟达将在3月16-19日的GTC 2026大会上，

首次公开展示搭载该芯片的Vera Rubin AI计算平台。 英伟达CEO黄仁勋此前已官宣该平台进入量产阶段，三星HBM4的如期交付，将为其下半年正式落地筑牢核心支撑。 这款HBM4采用1c工艺（第六代10nm级DRAM）+4nm基板工艺，性能实现跨越式升级：数据速率达11.7Gbps，较行业标准提升37%、

较上一代HBM3E提升22%；单堆栈带宽3TB/s，为上代2.4倍。12层堆叠提供36GB容量，16层版本可拓展至48GB。 HBM作为AI算力核心存储器件，主攻算力带宽瓶颈。随着全球AI需求爆发，HBM4量产将推动存储技术迭代，为下一代AI计算平台提供关键性能支撑。