2月5日消息，据韩媒hankyung当地时间今日报道，三星电子计划在平泽P4晶圆厂综合体，新建一条量产HBM4内存所需1c nm DRAM Die的

大型生产线，该产线预计明年一季度投产，月产能可达10~12万片晶圆。 参考数据显示，三星2026年DRAM月均总产能为66万片晶圆，这条新产线的产能贡献占比接近五分之一；叠加现有1c nm产线约6.5万片的月产能，

届时三星用于HBM4的DRAM产能占比将达约四分之一。而配套HBM4 Base Die的平泽S5 4nm产线，目前已全面投产。 此外，三星还计划对华城Fab 17的现有DRAM产线进行1c nm工艺升级，以此满足移动设备、家用电器等领域，对先进通用型内存的市场需求。