2月2日消息，据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子与SK海力士的尖端NAND闪存扩产计划正式落地，此前因资源优先投向DRAM而一再推迟，

如今受AI产业驱动的存储需求激增，两家企业已敲定具体扩产方案，均计划于2026年第二季度启动尖端NAND的转换投资。 三星2024年9月已实现280层V9 NAND量产，但目前仅平泽园区有初期产线，月产能约1.5万片晶圆，产能规模较小。该公司接下来将把扩产重点

放在中国西安X2产线，计划今年二季度启动其V9转换，目前西安X2仍以生产6-7代旧款NAND为主，相邻的X1产线则基本完成8代NAND转换；

原定一季度启动的西安X2转换计划已推迟至二季度，平泽P1园区也同步筹备相关投资，业内讨论的整体转换投资规模约为月产4-5万片晶圆，

预计2027年起V9 NAND将进入量产加速阶段，届时该产品生产占比有望显著提升。 SK海力士也同步推进先进NAND扩产，计划今年二季度启动321层9代NAND的转换投资，重点在清州M15厂区打造月产约3万片晶圆的V9产能，

相较目前约2万片晶圆的月产能，扩产力度显著。 此前两家企业的设备投资几乎全部集中于DRAM领域，而当前NAND市场已显现明显的供应紧张迹象，业内认为，三星与SK海力士此次同步

扩产尖端NAND，正是为应对该领域持续增长的市场需求。