1 月 14 日消息，DRAM 内存与 NAND 闪存的大幅涨价，正持续冲击整个电子行业，其中内存涨价势头最为迅猛，

DDR5 内存条价格涨幅至少达到两三倍。业内最保守的预测也认为，2026 年内存涨价态势将贯穿全年。三星等头部厂商近期再度上调新一轮合约价，

涨幅普遍在 50%-60%，部分厂商的涨价幅度甚至超过 70%。值得注意的是，这已是继去年第三、第四季度连续涨价后，内存价格的又一次大幅攀升。

这一轮内存涨价潮，直接推手是 AI 产业的爆发式需求，而核心症结则是内存产能增长跟不上市场需求的激增。当前全球 AI 基建年支出规模已达上万亿美元，

对内存、闪存的需求水涨船高，尤其是具备记忆能力的新一代 AI 技术，更是进一步拉高了存储芯片的用量。

从全球内存产能格局来看，95% 的市场份额被三星、SK 海力士、美光三大厂商牢牢掌控，这三家企业的产能决策直接决定了市场的供需走向。

调研机构 Omdia 的预测数据显示，三星今年的内存晶圆产能将提升至 793 万片，较去年的 759 万片增长 5%，新增产能主要来自平泽工厂的产能释放。

SK 海力士今年的产能预计达到 648 万片晶圆，同比增幅 8%，高于三星的增长水平，但作为全球最大的 HBM 供应商，其新增产能很大一部分

将向 HBM 产品倾斜，实际面向 DDR、LPDDR 等通用内存市场的供应增幅，恐难以达到 8%。美光今年的产能则基本与去年持平，维持在 360 万片晶圆左右。

综合来看，三大厂商今年并无大规模扩产的计划。这也印证了此前的市场传闻 —— 即便面对高涨的需求，上游厂商依旧不愿大幅增产，唯有维持市场缺货状态

，才能实现自身利益最大化。当前内存市场的缺货问题已十分严峻，整体需求满足率仅约 60%，其中服务器专用内存的满足率更是不足 50%，意味着市场

缺货率最低达 40%，部分品类缺货率甚至超过 50%，供不应求的矛盾极为突出。

不过，AI 领域所需的内存供应相对充足，谷歌、微软、META 等科技巨头财大气粗，即便面临高昂成本，依旧坚定推进 AI 基建布局，即便美国近期要求

这些厂商自行解决 AI 算力的电力供应问题，也未能削弱其投入力度。

与之形成鲜明对比的是，面向 PC、手机等终端产品的通用内存市场，DDR、LPDDR 等产品的涨价趋势还将延续，且今年的供应量大概率会进一步缩减。

原因在于，AI 所需的 HBM 内存正持续挤占通用内存的产能，三大厂商那 5% 左右的产能增长，也基本都投向了 HBM 领域。