3D 闪存 2030 年突破千层
6 月 23 日消息，步入 3D NAND 时代后，堆叠层数是提升闪存容量的核心关键。目前行业量产闪存堆叠层数普遍仅三百余层，预计五年内将突破千层大关。
现阶段 SK 海力士已实现 321 层 4D 闪存量产，市面主流产品堆叠层数集中在 200 至 300 层；三星则计划今年推出 400 层以上第十代 V-NAND 闪存。
技术迭代并未止步于此，厂商后续将冲击 500 层以上堆叠方案。上月三星公开 900 层闪存技术，
核心依托 CMB 多层键合工艺，将两片 450 层闪存芯片拼接融合。
核心依托 CMB 多层键合工艺，将两片 450 层闪存芯片拼接融合。
三星规划显示，待 500 层级堆叠技术成熟后，借助键合工艺可进一步实现千层堆叠，厂商预估该技术落地节点在 2030 年前后，
实际量产大概率延后至 2030 年之后。
实际量产大概率延后至 2030 年之后。
这项技术变革将彻底改写存储容量格局：如今 200 多层 QLC 闪存的消费级 M.2 固态硬盘上限仅 8TB，
千层 QLC SSD 可轻松做到 32TB，机械硬盘或将逐步退出民用市场。
千层 QLC SSD 可轻松做到 32TB，机械硬盘或将逐步退出民用市场。
面向 AI、企业级场景的存储提升更为可观，当前企业存储单盘最高 256TB，未来将迈入 PB 级、冲击千 TB 容量。
不过短板同样存在，若届时成本未能下探，32TB 大容量 SSD 定价或将居高不下，普通消费者难以入手。
