11月19日消息，三星正加速扩充1cnm DRAM产能，抢占HBM4市场先机。按照规划，其目标2026年第二季度将该产品月产能提升至14万片晶圆，第四季度

进一步增至20万片晶圆，各节点对应设备设置阶段，均以完成批量生产准备为核心目标。

目前三星DRAM总产能约为每月65万至70万片晶圆，这意味着1cnm DRAM产能短期内将达到总产能的30%左右，增产速度已超过2022年半导体热潮期间月增

13万片晶圆的扩张规模。为达成目标，三星一方面对现有DRAM生产线进行技术改造实现过渡，另一方面依托平泽P4工厂推进新增投资。 这一积极扩产动作，凸显三星对1cnm DRAM技术及市场需求的高度信心。当前在人工智能产业的强劲驱动下，DRAM市场已呈现供不应求的态势。 面对同一市场机遇，竞争对手SK海力士也有明确布局，计划2025年内启动1cnm DRAM量产，2026年实现全面投产。预计到2026年底，其韩国国内通用DRAM

产量中，1cnm工艺产品占比将超一半，并将形成涵盖LPDDR与GDDR的完整1cnm产品阵容。