11月14日消息，据媒体报道，三星与SK海力士已将目光锁定更远代际的HBM4E，正加速布局以抢占下一代高端存储竞争先机。随着新一代AI加速器首次引入基于

HBM4的定制化设计，HBM在提升性能、降低延迟方面的核心作用愈发凸显。 迈入HBM4E阶段后，产业或将进一步从标准化产品向定制化解决方案转型，核心部件

将根据客户具体需求专项设计。这一转变被认为将成为重塑供应商市场竞争格局的关键变量。 目前，三星与SK海力士均计划于2026年上半年完成HBM4E的开发工作。

考虑到搭载该内存的AI加速器预计2027年上市，两家企业需在2026年下半年完成产品质量验证，因此正全力推进研发进程，确保项目如期落地。 定制化HBM设计中，

基础裸片可依据客户特定需求进行针对性设计与制造。这一趋势对DRAM厂商的设计能力和生产工艺提出了更高要求，唯有具备快速响应能力的企业才能在此赛道占据

先发优势。 从HBM4开始，三星已采用自家代工模式生产基础裸片，这或将成为其核心竞争优势的重要支撑。SK海力士同样转向代工模式，选择与台积电合作联合开发

HBM产品。而美光出于成本考量，在HBM4阶段仍沿用DRAM工艺生产基础裸片，计划待HBM4E阶段再切换为台积电代工。 有分析指出，HBM4E有望在两年内成为

HBM市场的主流产品，预计到2027年将占据约40%的市场份额。