10 月 15 日讯，《韩国经济日报》今日消息显示，三星电子拟斥资约 1.1 万亿韩元（按现汇率计算约 54.92 亿元人民币），购入两台最新的 High-NA 双级极紫外（EUV）

光刻机。据业内人士透露，三星此前仅在京畿道园区部署过一台 High-NA EUV 设备，且仅用于研发；此次引进的设备将首次用于 “产品量产”，具体计划为年内引进一台，

明年上半年再引进一台。此次引进的机型是 Twin Scan EXE:5200B，作为第二款 0.55 数值孔径（NA）的 High-NA 极紫外光刻系统，它在 TWINSCAN EXE:5000 基础上

升级而来，既能提升对准精度，又能大幅提高生产效率，是制造下一代半导体芯片和高性能 DRAM 的关键设备。与 NXE 系统相比，EXE:5200B 成像对比度提升 40%，

分辨率可达 8nm，芯片制造商凭借它，单次曝光就能实现比 TWINSCAN NXE 系统精细 1.7 倍的电路刻蚀，晶体管密度也能提升至原来的 2.9 倍，这将帮助降低大规模

生产的工艺复杂度，提升客户晶圆厂的晶圆产出量。