11 月 8 日消息，EUV 是 7nm 以下先进工艺的核心设备，仅 ASML 可量产。

佳能另辟赛道，推出高性能 KrF 光刻机，套刻精度达到 4nm。

佳能官宣 FPA-6400ES6a KrF 扫描光刻机将于 2026 年 12 月上市，面向存储与逻辑芯片，

产能 400 片晶圆 / 小时，4nm 套刻精度处于行业高位。

设备可选配 Hi-ALS 新型对准光源，可根据工艺、材料切换对准波长，保障多场景下的对准精度与工艺稳定性。

新机还强化晶圆翘曲适配能力，最大可应对 700μm 翘曲，适配 3D 堆叠、晶圆键合等工艺。

同时优化电源与冷却系统，降低单晶圆曝光功耗，更加节能。

KrF 采用 248nm 光源，规格不及 DUV、EUV，无法用于 7nm 及以下先进制程主工艺。这款机型对标 ASML NXT:870B，

二者产能、套刻参数持平，佳能在晶圆翘曲处理上更有优势。它主攻 3D 芯片堆叠、键合等配套环节，

是半导体制造不可或缺的设备，在细分市场具备较强竞争力。