10 月 26 日消息，中国存储厂商长鑫存储、长江存储高速发展，令韩国半导体行业倍感压力。韩国三一普华永道近期发布报告，

建议三星、SK 海力士夯实通用存储的成本优势，加码 HBM 等高附加值赛道，守住利润基本盘。

Counterpoint 数据显示，2026 年第二季度长鑫存储全球 DRAM 营收份额升至 10%，同比 4% 实现翻倍，位列全球第四；

长江存储 NAND 出货量跻身全球第三，营收份额由 9% 提升至 14%。

SK 集团董事长崔泰源此前也曾警示，若国内厂商或美光持续扩产，韩国存储份额将面临流失。

他同时坦言，出口管制并未阻挡长鑫、长江存储稳步突破。

韩厂选择双线应对：三星升级西安工厂，投产 286 层 NAND；SK 海力士大连工厂规划量产 240 层以上闪存，

抗衡长江存储在成熟 NAND 市场的攻势。报告认为，当前国内在 HBM、先进封装等高端领域仍在追赶，

良率与客户验证门槛较高，是韩国厂商重点防守的利润阵地。

竞争还在向新一代架构延伸。长鑫计划年底推出 4F² 架构服务器 DDR5，该方案也是三星、SK 海力士的研发方向，率先量产者将拿到成本与市场主动权。

国产厂商依托通用存储市场的收益反哺前沿研发，持续挤压韩国存储企业的盈利空间。