10 月 19 日消息，AI 市场高带宽内存（HBM）需求持续暴涨，英伟达正推进一项突破性供应链整合方案。 消息显示，

英伟达为下一代 AI 加速器打造定制 NVHBM，促成宿敌三星电子与台积电合作，联合开发 3 纳米基底芯片（Base Die）。

三星以往 HBM 采用交钥匙模式，核心存储芯片与基底芯片均自主设计制造。但英伟达 NVHBM 对制程标准化要求极高，

因此要求三星与台积电共同开发 3nm 基底芯片，统一产品规范，简化质量验证流程。

美光、SK 海力士也一并纳入该计划。英伟达目标是统一制造标准，让多家厂商供货的 HBM 性能保持一致。

此前消息透露，Feyman 架构 GPU 将搭载这套定制 NVHBM。对比标准 HBM4E，NVHBM 带宽最高提升 30%，功耗最多下降 15%。

方案要求：NVHBM 基底芯片统一使用台积电 3 纳米工艺，核心存储芯片采用第六代 DRAM（1c 节点）。 统一制程的核心目的是保证产品性能一致。

基底芯片全部交由台积电 3nm 工艺生产后，英伟达不用针对各家厂商单独验证，节省大量工程资源，加速产品落地。

三星并未完全放弃自有晶圆代工产能，仍在评估内部产线，以备 NVHBM 需求超出台积电产能上限。

同时，三星自研标准 HBM 的核心与基底芯片业务保持不变。即便要和竞争对手台积电合作，三星也愿意以此保住英伟达 AI 供应链席位。

HBM 已经成为改善三星代工业务盈利的关键。数据显示，三星代工业务亏损从 2025 年 6.74 万亿韩元收窄至 2026 年 3.92 万亿韩元，

降幅 41%。高毛利 HBM 被视作持续扭亏的重要抓手。

分析指出，英伟达推动 NVHBM 标准化，既能统一性能、提升供货效率，也打破存储厂商各自独立研发的旧模式。

AI 基建竞争白热化，原本激烈博弈的三星与台积电，因英伟达订单达成临时合作，足以看见 AI 产业正在深刻重塑全球半导体供应链。