10 月 15 日消息，近期韩国股市再度上演类似 7 月的剧烈波动，三星、SK 海力士股价连续大跌，较高点近乎腰斩。

这一轮下跌的导火索，正是长鑫科技接连公布的多项内存技术突破。

长鑫先是推出 LPDDR6 内存，发布 G5 代内存平台，随后宣布将于年底率先量产 4F2 架构内存芯片。

4F2 是三星、SK 海力士深耕十余年却始终未能落地量产的技术，如今即将被长鑫抢先落地，

直接冲击韩企在全球内存市场的领先地位，引发资本市场恐慌。

国产存储崛起带来的深层威胁，在于产能释放后市场格局反转。一旦国内产能集中爆发，内存行业将从供不应求转为供过于求，

当前丰厚的内存利润或将快速崩塌。目前长鑫内存市占率约 10%，三星、SK 海力士、美光三巨头合计占据 90% 份额，

但长鑫扩产节奏迅猛，今年月晶圆产能可达 35 万片，接近美光水平；预计两年内产能将从当前 30 万片 / 月翻倍至 50-60 万片。

除产能扩张外，长鑫良率同步提升。G5 内存平台相比上代 G4 生产效率提升 50%，同等晶圆可产出更多芯片，大幅拉低单位制造成本。

长鑫产品主要面向 LPDDR5/6、DDR5 通用内存，HBM 领域仍存在差距；但两年后产能翻倍，其市场份额有望提升至 20%，

体量介于美光与 SK 海力士之间，存在冲击全球第二的潜力。

内存产业堪称韩国经济支柱，本轮存储涨价周期中，三星、SK 海力士净利润实现十倍级增长，两家全年净利润有望达到 5000-6000 亿美元。

首尔国立大学黄哲成教授在采访中认为，韩国存储暴利红利到 2028 年尚可维持，2029 年才会遭遇冲击；

三星等企业尝试布局 CPU、晶圆代工转型，成效不佳，韩国经济根基依旧依赖存储芯片。

但该预判或许过于乐观，明年国内还将有至少两家企业入局内存量产，长江存储在闪存赛道的追赶速度更快。

就连马斯克也对韩企内存定价与产能前景公开发声，直言美光定价相对合理，暗指三星、SK 海力士定价激进。

他多次提到，中国一旦吃透产品制造，产能规模往往超过全球其余地区总和，并以锂电池、光伏行业为例佐证。

韩国股市暴跌之际，马斯克进一步表态：中国到 2028 年将大量生产 RAM，再度给市场带来冲击，当日韩国股市一度暴跌超 9%。