10 月 15 日消息，ASML 的 EUV 光刻机正从 Low NA 向 High NA 迭代，单机售价由约 2 亿美元涨至 4 亿美元，

而本次率先落地 High NA EUV 的企业不再是台积电。

Intel 在 High NA EUV 项目上实现反超，原本规划 14A 工艺使用该设备，现已在去年底量产的 18A 工艺落地，进度领先同行 4 至 5 年。

作为全球首家量产 EUV 工艺的厂商，台积电早在 2018 年 7nm 制程就率先导入 EUV

（三星虽官宣更早，但量产产出有限，业界公认台积电为首个实现 EUV 量产的企业）。

如今台积电对 High NA EUV 态度偏保守，计划 2030 年才导入。

在近期财报会上，台积电对此作出解释：选择延后布局，是认为 2030 年 High NA 技术成熟度才达标。

台积电正与 ASML 深度协作，目标 2031 年前敲定 12 英寸光罩标准，待到成本进入合理区间再投产。

台积电同时表示，即便采用时间晚于对手，依旧能为客户提供顶尖制程技术。

究其根本，台积电暂缓采购 High NA EUV 有两大核心原因。一是成本高昂，设备与工艺投入都大幅增加；

二是设备本身存在短板：现有 Low NA EUV 可制造约 800mm² 大芯片，High NA EUV 受视场限制，芯片面积仅 400mm²，

无法制造大型 AI 芯片。只有攻克 12 英寸光罩技术，才能用 High NA EUV 生产大尺寸 AI 芯片，这项设备才算具备完整量产价值。