10 月 13 日消息，继 G5 内存技术实现量产后，长鑫科技再曝重磅进展，计划年底率先量产 4F2 架构内存芯片。

接连的技术突破引发全球存储板块震荡，美日韩存储企业股价应声下跌。

三星、SK 海力士、铠侠股价大幅下挫，美股的美光、闪迪此前已出现大跌，后续或将继续调整，此事受到多家媒体重点关注。

马斯克也对此发表看法，认为一旦中国企业掌握先进内存产能，或将重演光伏、动力电池行业的历程，产能扩张带来的价格内卷，

会对全球存储厂商形成冲击，这也是日韩存储股大跌的重要诱因。

相关话题在 X 平台引发激烈讨论，观点分化明显。除半导体工程师的客观解读外，大量韩美网友、投资人士提出反对意见。

韩国投行 InfoMarket 分析师姜容云甚至公开内部研报，试图纠正市场对长鑫技术的乐观预期。这份 7 页韩文报告介绍了 4F2、6F2 架构优劣，

核心意在指出长鑫技术存在短板，并援引传闻中长鑫 8 层 HBM 良率不足 25% 的数据，论证长鑫难以撼动现有市场格局。

其核心观点：即便长鑫率先推出 4F2 内存，出货量有限，难以改变行业态势。

韩美方面另一个核心论调：即便长鑫技术实现追赶，受美国出口管制约束，产品难以进入美国市场，

无法冲击三星、SK 海力士、美光主导的高端 AI 内存市场。这类观点本质意在维稳美日韩存储企业股价，

寄望制裁长期锁住国内存储产业，维持技术代差。

即便假设长鑫产品无法进入美国市场，也意味着美国 AI 企业只能持续采购溢价高昂的海外存储产品。

为维持存储巨头的高利润与股价，美日韩下游企业或将持续承受高额存储采购成本。