9 月 2 日消息，在 SEMICON Taiwan 2026 展前峰会 “Memory Executive Summit” 上，三星正式发布新一代 3D 存储器战略框架 CUBE，

同步披露 HBM5、zHBM、zNAND‑O 完整技术路线，意图依托架构级创新，全力角逐 AI 时代存储市场主导地位。

CUBE 作为三星下一代 3D 内存核心战略，分别对应 Capacity（容量）、Utilization（利用率）、Bandwidth（带宽）、Efficiency（能效）四大维度，

精准回应 AI 存储面临的核心痛点：有限物理空间下扩容、资源利用率提升、带宽拓展以及功耗管控，标志着三星的研发思路，

已经从单纯堆砌性能参数，转向系统层面的整体协同优化。

HBM5 属于现有 HBM 技术的迭代延续，三星设定目标：综合性能达到 HBM4E 的两倍，单位瓦性能提升 20%，热阻下降 20%，

兼顾架构向下兼容，重点强化数据传输效率与能效表现，匹配大模型训练对高带宽内存的强劲需求。

如果说 HBM5 是渐进升级，zHBM 则属于颠覆性架构革新。传统 HBM 与 GPU 并排布置，依靠先进封装完成高速互联；

zHBM 直接将 HBM 堆叠于 GPU 芯片之上，彻底重构信号传输通路与散热体系。 三星给出激进技术指标：性能约为 HBM4E 的 8 倍，

每瓦性能提升至 3 倍，热阻大幅降低 75%‑90%。一旦技术落地，将同时破解 AI 加速器带宽、功耗、散热三大桎梏，

为超大参数模型训练筑牢全新存储底层。

面向大语言模型对海量存储的刚需，三星还在推进 zNAND‑O 研发。该技术比特密度可达 DRAM 的 10 倍，

读取带宽、能效分别为传统 NAND 闪存的 7 倍，计划 2028 年送出样品，面向下一代 AI 数据中心提供高密度、高能效的存储方案。