7 月 22 日消息，三星采用混合键合工艺的新一代 HBM 芯片量产计划或将延后至 2029 年，目标配套英伟达下一代 Feynman AI GPU。

混合键合被视作 HBM 演进的核心方向。该技术舍弃 DRAM 层间传统微凸点结构，让芯片裸片紧密贴合，

有效缩短互联路径，实现更高传输带宽、更低功耗。

三星已向荷兰 BE Semiconductor 采购 50 台混合键合设备，计划年底启动装机，2029—2030 年实现规模化量产。

与此同时，三星同步研发集成逻辑芯片的定制化 HBM，依托 3D SiP 系统级封装进一步释放算力性能。

英伟达 Feynman GPU 预计在 Rubin Ultra 之后问世，产品规划采用 3D 堆叠 + 定制 HBM 方案，

时间窗口与三星混合键合量产节奏形成匹配。

量产节点推迟，短期或将拖累三星追赶 SK 海力士现有 HBM 市场份额的进程；但锚定 2029 年英伟达新一代 GPU，

也意味着三星将重心押注下一代高端 AI 存储赛道。那么三星依靠混合键合技术，能否追平 SK 海力士当前在 HBM 领域的领先优势？