存储短缺实为巨头炒作
7 月 19 日消息，此轮内存、闪存价格暴涨备受市场关注，一年内内存条价格涨幅近 500%，部分品类涨幅甚至逼近十倍，
市场普遍将涨价归因于 AI 爆发带来的供需失衡。
市场普遍将涨价归因于 AI 爆发带来的供需失衡。
但业内匿名人士爆料，本轮内存紧缺被严重夸大，行业存在刻意造势涨价的情况。数据显示，2026 年全球内存实际供需缺口仅 4%-5%，
此前预测的 8%-9% 短缺并不属实。得益于三星、海力士完成从 1b 到 1c 的工艺迭代，芯片位容量大幅提升，填补了绝大多数预期产能缺口。
此前预测的 8%-9% 短缺并不属实。得益于三星、海力士完成从 1b 到 1c 的工艺迭代，芯片位容量大幅提升，填补了绝大多数预期产能缺口。
行业供需趋势清晰向好，缺口将持续收窄：2027 年，随着美光、三星新产能落地，内存缺口将压缩至 3%；
2028 年上半年仅存 2%-3% 小幅缺口，下半年将实现供需完全平衡，价格逐步企稳。
2028 年上半年仅存 2%-3% 小幅缺口，下半年将实现供需完全平衡，价格逐步企稳。
事实上，AI 与 HBM 确实消耗大量存储产能，但并未出现市场传言的极端短缺。若产能缺口真如厂商渲染的那般严重，AI 产业发展早已受掣肘。
权威金融机构彭博的调研也印证了这一趋势：今年二季度为本轮行情紧缺峰值，缺口仅 8%；明年内存缺口将降至 2% 以内，2028 年市场将转为产能过剩。
由此可见，本轮存储价格暴涨，并非单纯的需求短缺所致，更多是行业巨头刻意渲染缺货、人为制造供需焦虑的结果。
三星、海力士、美光三大巨头刻意炒作缺货周期延续至 2030 年后，借此长期抬高产品溢价、收割市场。
三星、海力士、美光三大巨头刻意炒作缺货周期延续至 2030 年后，借此长期抬高产品溢价、收割市场。
