存储三巨头遭反垄断起诉
6 月 30 日讯，三星、SK 海力士、美光三大存储巨头在美国遭遇全新集体诉讼，原告指控三方串通操纵 DRAM 售价、刻意缩减供给，制造市场缺货恐慌。
本次诉状由多名个人消费者与企业采购方联合提交，拟发起集体诉讼维权。原告在诉状中称，三家厂商默契同步削减传统 DRAM 产能，
将产线大规模转向高利润 HBM，主动压缩 DDR3、DDR4 供货量，人为制造供给缺口，大幅抬升企业与终端用户的采购成本。
将产线大规模转向高利润 HBM，主动压缩 DDR3、DDR4 供货量，人为制造供给缺口，大幅抬升企业与终端用户的采购成本。
诉状原文直指行业垄断行为：“DRAM 寡头同步控产、集体转产 HBM、逐步缩减 DDR3/DDR4 产品线，通过多重手段收紧传统内存供给，
致使内存价格短期内暴涨，涨幅惊人。”
致使内存价格短期内暴涨，涨幅惊人。”
原告表示，三星、SK 海力士、美光把持全球绝大多数 DRAM 市场份额，行业壁垒极高；新建内存晶圆厂投资数百亿美元、建设周期长达数年，
中小厂商难以快速扩产对冲供给缺口。充分竞争环境下，价格上行时理应出现厂商扩产，但三家企业却统一收紧产能，行为高度协同。
中小厂商难以快速扩产对冲供给缺口。充分竞争环境下，价格上行时理应出现厂商扩产，但三家企业却统一收紧产能，行为高度协同。
值得一提的是，这并非三巨头首次卷入价格操纵诉讼。早在 2005 年美国司法部反垄断调查中，三星、SK 海力士已当庭认罪并缴纳巨额罚金；
美光因主动配合调查，得以豁免处罚。原告据此主张，当前 DRAM 市场高价缺货乱象，是同类垄断行为的再度上演。
美光因主动配合调查，得以豁免处罚。原告据此主张，当前 DRAM 市场高价缺货乱象，是同类垄断行为的再度上演。
目前相关指控仅为原告单方主张，后续仍需完整举证、等待法庭核查裁定。
