6 月 30 日讯，韩国公布未来十年规模达 1000 万亿韩元（约 4.4 万亿元人民币）芯片投资规划，重心布局存储芯片，同时提速先进制程研发。

三星已于去年实现 2nm SF2 工艺量产，该制程芯片率先搭载于 Galaxy S26 系列 Exynos 2600，但实测性能相较台积电 3nm 产品仍存在差距。

公司同步规划研发 1.4nm SF1.4 工艺，原计划 2027 年量产，现调整研发节奏，深耕 2nm 工艺两至三年后，将 1.4nm 量产节点延后至 2029 年，

与台积电、英特尔同代制程落地周期基本持平。

目前三星已向海内外半导体设备厂商提出前置研发需求，配套设备将供给全新研发中心 NRD-K，服务 1.4nm 制程开发。

该节点将首次采用高数值孔径 EUV 光刻机（High NA EUV，NA 0.55），相较现行 NA 0.33 机型光刻分辨率大幅提升，

是 2nm 以下先进制程核心设备。

新款光刻机成本大幅攀升，单台售价约 4 亿美元，而现有 EUV 设备仅 1.5 至 2 亿美元，设备成本翻倍将推高晶圆制造整体开支。

因高昂造价，台积电暂不计划采购该设备；英特尔为其首批客户，SK 海力士紧随其后，三星是第三家确定采购的厂商，

明年 10 台高 NA EUV 订单主要由这三家企业包揽。