6 月 2 日消息，外媒爆料三星电子规划依托自研 2nm 工艺打造 HBM5，产品预计 2028 年落地量产。

散热层面，自研 HPB 导热结构是 HBM5 核心温控方案。该结构采用铜基材质内嵌于封装内部，

导热效率相较基板、DAF、EMC 等高分子材料高出 500 至 1000 倍。三星已率先在 Exynos 2600 处理器落地 HPB 技术，

相较前代散热能力提升 30%，印证该项方案同样适配移动端芯片。

伴随 AI 算力基建扩容，高端 HBM 散热瓶颈凸显，各家厂商加速自研温控方案。5 月 26 日 SK 海力士发布 iHBM 散热方案，

依托封装内嵌一体化 ICE 散热组件控温，该技术同样将搭载于 HBM5 等新一代产品，且适配现有 SiP 封装体系，客户无需大幅改动设计即可落地使用。

业内分析表示，HBM5 带宽与算力升级带动功耗暴涨，衔接 GPU 的 D2D PHY 互联模块是核心发热源；

三星 HPB、海力士 iHBM 均针对性在该区域布设独立导热通路，有效压低热阻、提升芯片运行稳定性。

在散热技术迭代、产能爬坡缓慢的加持下，HBM 紧缺行情或将延续。据集邦咨询数据，受原厂年度定价规则限制，

HBM 长约价滞后于现货涨价节奏。眼下产业链已开启 2027 年 HBM4 供货议价，叠加 DRAM 全品类供需偏紧、

新一代 HBM 制程门槛高企，机构预判 2027 年 HBM 合约价格或将迎来大幅上调。