铠侠抢先量产 332 层闪存
5 月 25 日消息，三星、SK 海力士相继推迟第十代 NAND 闪存量产计划，铠侠则抢先公布新一代产品量产时间表。
铠侠明确将第十代 BiCS10 3D NAND 闪存列为 2026 财年核心目标，量产窗口定于 2026 年 5 月至 2027 年 3 月。
该产品采用 332 层堆叠架构，相较现款 218 层的 BiCS8 提升 52%，位密度涨幅达 59%。
该产品采用 332 层堆叠架构，相较现款 218 层的 BiCS8 提升 52%，位密度涨幅达 59%。
产品搭载 Toggle DDR 6.0 接口，传输速率从 3.6Gbps 提升至 4.8Gbps，增幅 33%；同时功耗显著优化，
输入功耗下降 10%，输出功耗降低 34%，标准 TLC 模式下单颗容量可达 2Tb。芯片延续 CBA 架构，
无需采用复杂 PLC 方案，便能兼顾存储密度与运行可靠性。
输入功耗下降 10%，输出功耗降低 34%，标准 TLC 模式下单颗容量可达 2Tb。芯片延续 CBA 架构，
无需采用复杂 PLC 方案，便能兼顾存储密度与运行可靠性。
量产工作将落地于日本北上市 K2 新工厂，厂区设备专为高堆叠层数闪存打造，有效控制建厂成本。
目前铠侠尚未拿到大额确定性订单，相关投资规划预计 2026 年下半年才会清晰，量产进度与实际出货量的落差，成为项目最大变数。
目前铠侠尚未拿到大额确定性订单，相关投资规划预计 2026 年下半年才会清晰，量产进度与实际出货量的落差，成为项目最大变数。
